BSS123LT1G

SMD N-Ch Kleinleistungs-MOSFET 100 V 0,17 A 0,36 W SOT 23

EVE Artikelbezeichnung:
BSS123R
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Menge:

Technische Daten:

Anschluss
SMT
Art
Kleinleistungs-MOSFET
Bauform
SOT 23
Betriebstemperatur
-55 °C - 150 °C
Drain-Source-Durchflusswiderstand
6 Ω
Drain-Source-Spannung
100 V
 

Alternativartikel:

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nicht verfügbar BSS123 - Abbildung INTERNATIONAL RECTIFIER MAXIM VISHAY Diode Peripheriebaustein Transistor (1)
onsemi
BSS123LT1G

SMD N-Ch Kleinleistungs-MOSFET 100 V 0,17 A 0,36 W SOT 23 
EVE: BSS123

  • VPE: 3.000 Stück
  • MBM: 1.000 Stück und Vielfache
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  • VPE: 3.000 Stück
  • MBM: 3.000 Stück und nur volle VE
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