ST Microelectronics
M93C46WMN6P - Speicherbaustein ST Microelectronics EEPROM SO8
M93C46WMN6P - Technische Zeichnung ST Microelectronics EEPROM SO8 M93C46WMN6P - Technische Zeichnung ST Microelectronics EEPROM SO8

M93C46-WMN6P

STMicroelectronics EEPROM 2,5 V - 5,5 V 1 kBit SO8 STANGE

EVE Artikelbezeichnung:
M93C46WMN6P
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Verpackungseinheit 100 Stück
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Technische Daten:

Anschluss
SMT
Ausführung
Microwire
Bauform
SO8
Betriebsspannung
2,5 V - 5,5 V
Betriebstemperatur
-40 °C - 85 °C
Organisation
1K x 8/x 16
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